SI7135DP-T1-GE3

84.07 грн.

10 або більше: 82.39 грн.
100 або більше: 79.87 грн.
1000 або більше: 75.67 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7135DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.60A 30V PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 60 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 3.2 мОм
Потужність 104 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 50 нс
Напруга 30 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969