SI7137DP-T1-GE3

204.87 грн.

10 или более 200.77 грн.
100 или более 194.62 грн.
1000 или более 184.38 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7137DP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.60A 20V P-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -50°C~+150°C
Ток
Ток 60 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 88 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 104 Вт
Сопротивление откр. канала 1.6 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 20 В