SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

204.87 грн.

10 або більше: 200.77 грн.
100 або більше: 194.62 грн.
1000 або більше: 184.38 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7137DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.60A 20V P-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -50°C~+150°C
Струм
Струм 60 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 1.6 мОм
Потужність 104 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 88 нс
Напруга 20 В
datasheet