SI7370DP-T1-E3
SI7370DP-T1-E3
129.02 грн.
10 или более 126.45 грн.
100 или более 122.57 грн.
1000 или более 116.12 грн.
100 или более 122.57 грн.
1000 или более 116.12 грн.
MOSFET DIS.9.6A 60V N-CH PPAK SO-8
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 9.6 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 40 нс |
Конфигурация | одиночний |
Сопротивление откр. канала | 850 мОм |
Структура | N-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 60 В |