SI7370DP-T1-E3

118.15 грн.

10 или более 115.79 грн.
100 или более 112.25 грн.
1000 или более 106.34 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7370DP-T1-E3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.9.6A 60V N-CH PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 9.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 40 нс
Конфигурация одиночний
Сопротивление откр. канала 850 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 60 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969