SI7370DP-T1-E3

129.02 грн.

10 или более 126.45 грн.
100 или более 122.57 грн.
1000 или более 116.12 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7370DP-T1-E3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.9.6A 60V N-CH PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 9.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 40 нс
Конфигурация одиночний
Сопротивление откр. канала 850 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 60 В