SI7370DP-T1-E3

SI7370DP-T1-E3

129.02 грн.

10 або більше: 126.45 грн.
100 або більше: 122.57 грн.
1000 або більше: 116.12 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7370DP-T1-E3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.9.6A 60V N-CH PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 9.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 850 мОм
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 40 нс
Напруга 60 В
datasheet