SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

100.84 грн.

10 или более 56.26 грн.
100 или более 41.77 грн.
1000 или более 41.77 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7617DN-T1-GE3
Доступно: 2393

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.5A 20V P-CH PPAK-1212-8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 33 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 52 Вт
Сопротивление откр. канала 10.3 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В
datasheet