SI7617DN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3
52.80 грн.
10 или более 34.52 грн.
100 или более 33.47 грн.
1000 или более 31.70 грн.
100 или более 33.47 грн.
1000 или более 31.70 грн.
MOSFET DIS.5A 20V P-CH PPAK-1212-8 SMT
Корпус | |
Корпус | PowerPAK-1212-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 35 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 33 нс |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 52 Вт |
Сопротивление откр. канала | 10.3 мОм |
Структура | P-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 30 В |