SI7617DN-T1-GE3

102.30 грн.

10 или более 64.48 грн.
100 или более 43.20 грн.
1000 или более 43.20 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7617DN-T1-GE3
Доступно: 2412

Доступные опции

MOSFET DIS.5A 20V P-CH PPAK-1212-8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 33 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 52 Вт
Сопротивление откр. канала 10.3 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В