SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

48.35 грн.

10 або більше: 31.61 грн.
100 або більше: 30.65 грн.
1000 або більше: 29.03 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7617DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.5A 20V P-CH PPAK-1212-8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 10.3 мОм
Потужність 52 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 33 нс
Напруга 30 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969