SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

52.80 грн.

10 або більше: 34.52 грн.
100 або більше: 33.47 грн.
1000 або більше: 31.70 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7617DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.5A 20V P-CH PPAK-1212-8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 10.3 мОм
Потужність 52 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 33 нс
Напруга 30 В
datasheet