РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI7846DP-T1-E3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI7846DP-T1-E3
76.03 грн.
10 или более 74.51 грн.
100 или более 72.23 грн.
1000 или более 68.43 грн.
100 или более 72.23 грн.
1000 или более 68.43 грн.
MOSFET DIS.4A 150V N-CH PPAK SO-8 SMT
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 4 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 40 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 1.9 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 41 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 150 В |