SI7846DP-T1-E3

82.37 грн.

10 или более 80.72 грн.
100 или более 78.25 грн.
1000 или более 74.13 грн.
Производитель: Vishay Siliconix
Артикул: SI7846DP-T1-E3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.4A 150V N-CH PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 4 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 40 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.9 Вт
Сопротивление откр. канала 41 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 150 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969