SI7846DP-T1-E3
SI7846DP-T1-E3
83.03 грн.
10 або більше: 81.37 грн.
100 або більше: 78.88 грн.
1000 або більше: 74.72 грн.
100 або більше: 78.88 грн.
1000 або більше: 74.72 грн.
MOSFET DIS.4A 150V N-CH PPAK SO-8 SMT
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 4 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 41 мОм |
Потужність | 1.9 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 40 нс |
Напруга | 150 В |