РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI7846DP-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI7846DP-T1-GE3
178.46 грн.
10 или более 174.89 грн.
100 или более 169.53 грн.
1000 или более 160.61 грн.
100 или более 169.53 грн.
1000 или более 160.61 грн.
MOSFET DIS.4A 150V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 4 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 40 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 1.9 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 41 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 150 В |