SI7846DP-T1-GE3

194.88 грн.

10 або більше: 190.98 грн.
100 або більше: 185.13 грн.
1000 або більше: 175.39 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7846DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.4A 150V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 4 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 41 мОм
Потужність 1.9 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 40 нс
Напруга 150 В