РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI7852DP-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI7852DP-T1-GE3
186.74 грн.
10 или более 183.01 грн.
100 или более 177.40 грн.
1000 или более 168.07 грн.
100 или более 177.40 грн.
1000 или более 168.07 грн.
MOSFET DIS.30A 80V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 7.6 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 45 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 1.9 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 13.5 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 80 В |