SI7852DP-T1-GE3

172.38 грн.

10 або більше: 168.93 грн.
100 або більше: 163.76 грн.
1000 або більше: 155.14 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SI7852DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.30A 80V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 7.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 13.5 мОм
Потужність 1.9 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 45 нс
Напруга 80 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969