SI7997DP-T1-GE3
SI7997DP-T1-GE3
119.36 грн.
10 или более 110.52 грн.
100 или более 107.13 грн.
1000 или более 101.50 грн.
100 или более 107.13 грн.
1000 или более 101.50 грн.
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 60 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 35 нс |
Конфигурация | двойной |
Мощность | 46 Вт |
Сопротивление откр. канала | 4.5 мОм |
Структура | P-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 30 В |