SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

268.36 грн.

10 или более 189.26 грн.
100 или более 128.63 грн.
1000 или более 96.11 грн.
Производитель: Vishay Siliconix
Артикул: SI7997DP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 60 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 35 нс
Конфигурация двойной
Мощность 46 Вт
Сопротивление откр. канала 4.5 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В
datasheet