SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

119.36 грн.

10 або більше: 110.52 грн.
100 або більше: 107.13 грн.
1000 або більше: 101.50 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SI7997DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 60 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 4.5 мОм
Потужність 46 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 35 нс
Напруга 30 В
datasheet