SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3
37.12 грн.
10 или более 48.82 грн.
100 или более 47.33 грн.
1000 или более 44.84 грн.
100 или более 47.33 грн.
1000 или более 44.84 грн.
MOSFET DIS. 4A 20V 2P-CH SURFACE MOUNT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 4 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 30 нс |
| Конфигурация | двойной |
| Мощность | 3.1 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 48 мОм |
| Структура | P-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 20 В |
РУС
УКР







