SI9933CDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI9933CDY-T1-GE3
32.12 грн.
10 или более 42.25 грн.
100 или более 40.96 грн.
1000 или более 38.80 грн.
100 или более 40.96 грн.
1000 или более 38.80 грн.
MOSFET DIS. 4A 20V 2P-CH SURFACE MOUNT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 4 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 30 нс |
Конфигурация | двойной |
Мощность | 3.1 Вт |
Сопротивление откр. канала | 48 мОм |
Структура | P-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 20 В |