SI9933CDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI9933CDY-T1-GE3
32.12 грн.
10 або більше: 42.25 грн.
100 або більше: 40.96 грн.
1000 або більше: 38.80 грн.
100 або більше: 40.96 грн.
1000 або більше: 38.80 грн.
MOSFET DIS. 4A 20V 2P-CH SURFACE MOUNT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 4 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | подвійний |
Опір відкр. каналу | 48 мОм |
Потужність | 3.1 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 30 нс |
Напруга | 20 В |