SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3
35.08 грн.
10 або більше: 46.14 грн.
100 або більше: 44.73 грн.
1000 або більше: 42.37 грн.
100 або більше: 44.73 грн.
1000 або більше: 42.37 грн.
MOSFET DIS. 4A 20V 2P-CH SURFACE MOUNT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 4 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | подвійний |
Опір відкр. каналу | 48 мОм |
Потужність | 3.1 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 30 нс |
Напруга | 20 В |