SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3
35.08 грн.
10 або більше: 46.14 грн.
100 або більше: 44.73 грн.
1000 або більше: 42.37 грн.
100 або більше: 44.73 грн.
1000 або більше: 42.37 грн.
MOSFET DIS. 4A 20V 2P-CH SURFACE MOUNT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C |
| Струм | |
| Струм | 4 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основні | |
| Конфігурація | подвійний |
| Опір відкр. каналу | 48 мОм |
| Потужність | 3.1 Вт |
| Структура | P-канал |
| Технологія | TRENCH FET |
| Час відновлення | 30 нс |
| Напруга | 20 В |
РУС
УКР







