РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI9945BDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI9945BDY-T1-GE3
58.00 грн.
10 или более 62.30 грн.
100 или более 60.40 грн.
1000 или более 57.22 грн.
100 или более 60.40 грн.
1000 или более 57.22 грн.
MOSFET DIS.4.1A 30V P-CH SOIC8 TRENCH SMT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 5.3 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 30 нс |
| Конфигурация | двойной |
| Мощность | 3.1 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 46 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 60 В |