SI9945BDY-T1-GE3
SI9945BDY-T1-GE3
63.34 грн.
10 или более 68.04 грн.
100 или более 65.96 грн.
1000 или более 62.48 грн.
100 или более 65.96 грн.
1000 или более 62.48 грн.
MOSFET DIS.4.1A 30V P-CH SOIC8 TRENCH SMT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 5.3 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 30 нс |
Конфигурация | двойной |
Мощность | 3.1 Вт |
Сопротивление откр. канала | 46 мОм |
Структура | N-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 60 В |