SI9945BDY-T1-GE3
SI9945BDY-T1-GE3
67.02 грн.
10 или более 72.00 грн.
100 или более 69.80 грн.
1000 или более 66.12 грн.
100 или более 69.80 грн.
1000 или более 66.12 грн.
MOSFET DIS.4.1A 30V P-CH SOIC8 TRENCH SMT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 5.3 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 30 нс |
| Конфигурация | двойной |
| Мощность | 3.1 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 46 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 60 В |
РУС
УКР







