SI9945BDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI9945BDY-T1-GE3
63.34 грн.
10 або більше: 68.04 грн.
100 або більше: 65.96 грн.
1000 або більше: 62.48 грн.
100 або більше: 65.96 грн.
1000 або більше: 62.48 грн.
MOSFET DIS.4.1A 30V P-CH SOIC8 TRENCH SMT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C |
| Струм | |
| Струм | 5.3 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основні | |
| Конфігурація | подвійний |
| Опір відкр. каналу | 46 мОм |
| Потужність | 3.1 Вт |
| Структура | N-канал |
| Технологія | TRENCH FET |
| Час відновлення | 30 нс |
| Напруга | 60 В |
РУС
УКР







