SI9945BDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI9945BDY-T1-GE3
58.00 грн.
10 або більше: 62.30 грн.
100 або більше: 60.40 грн.
1000 або більше: 57.22 грн.
100 або більше: 60.40 грн.
1000 або більше: 57.22 грн.
MOSFET DIS.4.1A 30V P-CH SOIC8 TRENCH SMT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 5.3 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | подвійний |
Опір відкр. каналу | 46 мОм |
Потужність | 3.1 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 30 нс |
Напруга | 60 В |