SIA456DJ-T1-GE3

48.41 грн.

10 или более 57.52 грн.
100 или более 55.76 грн.
1000 или более 52.83 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SIA456DJ-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.2.6A 200V N-CH PPAK SC70-6L TRENCHFET
Корпус
Корпус PowerPAK SC70-6L
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 2.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 40 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 19 Вт
Сопротивление откр. канала 1.08 Ом
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969