SIA456DJ-T1-GE3

48.41 грн.

10 або більше: 57.52 грн.
100 або більше: 55.76 грн.
1000 або більше: 52.83 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIA456DJ-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.2.6A 200V N-CH PPAK SC70-6L TRENCHFET
Корпус
Корпус PowerPAK SC70-6L
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 2.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 1.08 Ом
Потужність 19 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 40 нс
Напруга 200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969