SIR410DP-T1-GE3

36.03 грн.

10 или более 32.30 грн.
100 или более 31.32 грн.
1000 или более 29.67 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR410DP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.35A 20V PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 30 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 36 Вт
Сопротивление откр. канала 4 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 20 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969