SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3
39.34 грн.
10 або більше: 35.28 грн.
100 або більше: 34.20 грн.
1000 або більше: 32.39 грн.
100 або більше: 34.20 грн.
1000 або більше: 32.39 грн.
MOSFET DIS.35A 20V PPAK SO-8 SMT
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 35 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 4 мОм |
Потужність | 36 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 30 нс |
Напруга | 20 В |