SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3
39.34 грн.
10 або більше: 35.28 грн.
100 або більше: 34.20 грн.
1000 або більше: 32.39 грн.
100 або більше: 34.20 грн.
1000 або більше: 32.39 грн.
MOSFET DIS.35A 20V PPAK SO-8 SMT
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C |
| Струм | |
| Струм | 35 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основні | |
| Конфігурація | одиночний |
| Опір відкр. каналу | 4 мОм |
| Потужність | 36 Вт |
| Структура | N-канал |
| Технологія | TRENCH FET |
| Час відновлення | 30 нс |
| Напруга | 20 В |
РУС
УКР







