SIR410DP-T1-GE3

39.34 грн.

10 або більше: 35.28 грн.
100 або більше: 34.20 грн.
1000 або більше: 32.39 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR410DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.35A 20V PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 4 мОм
Потужність 36 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 30 нс
Напруга 20 В