SIR422DP-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SIR422DP-T1-GE3
61.35 грн.
10 или более 56.84 грн.
100 или более 55.10 грн.
1000 или более 52.20 грн.
100 или более 55.10 грн.
1000 или более 52.20 грн.
MOSFET DIS.4A 40V N-CH PPAK SO-8
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 40 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 25 нс |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 34.7 Вт |
Сопротивление откр. канала | 5.4 мОм |
Структура | N-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 40 В |