SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3
70.89 грн.
10 или более 65.68 грн.
100 или более 63.67 грн.
1000 или более 60.32 грн.
100 или более 63.67 грн.
1000 или более 60.32 грн.
MOSFET DIS.4A 40V N-CH PPAK SO-8
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 40 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 25 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 34.7 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 5.4 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 40 В |
РУС
УКР







