SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

120.50 грн.

10 или более 88.71 грн.
100 или более 53.97 грн.
1000 или более 53.97 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR422DP-T1-GE3
Доступно: 2460

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.4A 40V N-CH PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 40 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 25 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 34.7 Вт
Сопротивление откр. канала 5.4 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 40 В
datasheet