SIR422DP-T1-GE3

66.99 грн.

10 або більше: 62.07 грн.
100 або більше: 60.17 грн.
1000 або більше: 57.00 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR422DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.4A 40V N-CH PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 40 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 5.4 мОм
Потужність 34.7 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 25 нс
Напруга 40 В