SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3
66.99 грн.
10 або більше: 62.07 грн.
100 або більше: 60.17 грн.
1000 або більше: 57.00 грн.
100 або більше: 60.17 грн.
1000 або більше: 57.00 грн.
MOSFET DIS.4A 40V N-CH PPAK SO-8
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 40 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 5.4 мОм |
Потужність | 34.7 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 25 нс |
Напруга | 40 В |