SIR422DP-T1-GE3

61.35 грн.

10 або більше: 56.84 грн.
100 або більше: 55.10 грн.
1000 або більше: 52.20 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR422DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.4A 40V N-CH PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 40 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 5.4 мОм
Потужність 34.7 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 25 нс
Напруга 40 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969