SIR426DP-T1-GE3

53.32 грн.

10 или более 37.19 грн.
100 или более 36.05 грн.
1000 или более 34.15 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR426DP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.30A 40V N-CH PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 30 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 23 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 41.7 Вт
Сопротивление откр. канала 8.5 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 40 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969