SIR426DP-T1-GE3

58.22 грн.

10 або більше: 40.61 грн.
100 або більше: 39.37 грн.
1000 або більше: 37.30 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR426DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.30A 40V N-CH PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 30 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 8.5 мОм
Потужність 41.7 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 23 нс
Напруга 40 В