SIR426DP-T1-GE3
SIR426DP-T1-GE3
58.22 грн.
10 або більше: 40.61 грн.
100 або більше: 39.37 грн.
1000 або більше: 37.30 грн.
100 або більше: 39.37 грн.
1000 або більше: 37.30 грн.
MOSFET DIS.30A 40V N-CH PPAK SO-8 SMT
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 30 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 8.5 мОм |
Потужність | 41.7 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 23 нс |
Напруга | 40 В |