SIR876ADP-T1-GE3

51.31 грн.

10 или более 46.46 грн.
100 или более 45.03 грн.
1000 или более 42.67 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR876ADP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.40A 100V N-CH PowerPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 40 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 44 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 62 Вт
Сопротивление откр. канала 9 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 100 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969