SIR876ADP-T1-GE3

51.31 грн.

10 або більше: 46.46 грн.
100 або більше: 45.03 грн.
1000 або більше: 42.67 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR876ADP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.40A 100V N-CH PowerPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 40 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 9 мОм
Потужність 62 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 44 нс
Напруга 100 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969