SIR876ADP-T1-GE3

56.03 грн.

10 або більше: 50.73 грн.
100 або більше: 49.18 грн.
1000 або більше: 46.59 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR876ADP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.40A 100V N-CH PowerPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 40 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 9 мОм
Потужність 62 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 44 нс
Напруга 100 В