SIRA00DP-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SIRA00DP-T1-GE3
105.40 грн.
10 или более 97.28 грн.
100 или более 94.31 грн.
1000 или более 89.34 грн.
100 или более 94.31 грн.
1000 или более 89.34 грн.
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 100 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 70 нс |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 104 Вт |
Сопротивление откр. канала | 0.83 мОм |
Структура | N-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 30 В |