SIRA00DP-T1-GE3

115.10 грн.

10 или более 106.23 грн.
100 или более 102.98 грн.
1000 или более 97.56 грн.
Производитель: Vishay Siliconix
Артикул: SIRA00DP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 100 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 70 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 104 Вт
Сопротивление откр. канала 0.83 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В