SIRA00DP-T1-GE3
SIRA00DP-T1-GE3
115.10 грн.
10 или более 106.23 грн.
100 или более 102.98 грн.
1000 или более 97.56 грн.
100 или более 102.98 грн.
1000 или более 97.56 грн.
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 100 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 70 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 104 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 0.83 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 30 В |
РУС
УКР







