SIRA00DP-T1-GE3

105.40 грн.

10 або більше: 97.28 грн.
100 або більше: 94.31 грн.
1000 або більше: 89.34 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SIRA00DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 100 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 0.83 мОм
Потужність 104 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 70 нс
Напруга 30 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969