SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

115.10 грн.

10 або більше: 106.23 грн.
100 або більше: 102.98 грн.
1000 або більше: 97.56 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SIRA00DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 100 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 0.83 мОм
Потужність 104 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 70 нс
Напруга 30 В
datasheet