SIRA10BDP-T1-GE3
SIRA10BDP-T1-GE3
54.57 грн.
10 или более 50.43 грн.
100 или более 48.89 грн.
1000 или более 46.32 грн.
100 или более 48.89 грн.
1000 или более 46.32 грн.
MOSFET DIS.30A 30V N-CH POWERPAK SO-8 SMT
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 30 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 38 нс |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 43 Вт |
Сопротивление откр. канала | 2.3 мОм |
Структура | N-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 30 В |