SIRA10BDP-T1-GE3

54.57 грн.

10 или более 50.43 грн.
100 или более 48.89 грн.
1000 или более 46.32 грн.
Производитель: Vishay Siliconix
Артикул: SIRA10BDP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.30A 30V N-CH POWERPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 30 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 38 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 43 Вт
Сопротивление откр. канала 2.3 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В