SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

57.74 грн.

10 або більше: 53.37 грн.
100 або більше: 51.73 грн.
1000 або більше: 49.01 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SIRA10BDP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.30A 30V N-CH POWERPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 30 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 2.3 мОм
Потужність 43 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 38 нс
Напруга 30 В
datasheet