РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SIRA12DP-T1-GE3
SIRA12DP-T1-GE3
49.27 грн.
10 или более 45.54 грн.
100 или более 44.15 грн.
1000 или более 41.82 грн.
100 или более 44.15 грн.
1000 или более 41.82 грн.
MOSFET DIS.25A 30V N-CH PPAK SO-8 TRENCHFET
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 25 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 27 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 31 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 3.2 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 30 В |