РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SIRA12DP-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SIRA12DP-T1-GE3
45.12 грн.
10 или более 41.70 грн.
100 или более 40.43 грн.
1000 или более 38.30 грн.
100 или более 40.43 грн.
1000 или более 38.30 грн.
MOSFET DIS.25A 30V N-CH PPAK SO-8 TRENCHFET
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 25 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 27 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 31 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 3.2 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 30 В |