SIRA12DP-T1-GE3
SIRA12DP-T1-GE3
49.27 грн.
10 або більше: 45.54 грн.
100 або більше: 44.15 грн.
1000 або більше: 41.82 грн.
100 або більше: 44.15 грн.
1000 або більше: 41.82 грн.
MOSFET DIS.25A 30V N-CH PPAK SO-8 TRENCHFET
| Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C |
| Струм | |
| Струм | 25 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
| Основні | |
| Конфігурація | одиночний |
| Опір відкр. каналу | 3.2 мОм |
| Потужність | 31 Вт |
| Структура | N-канал |
| Технологія | TRENCH FET |
| Час відновлення | 27 нс |
| Напруга | 30 В |
РУС
УКР







