SIRA12DP-T1-GE3
SIRA12DP-T1-GE3
49.27 грн.
10 або більше: 45.54 грн.
100 або більше: 44.15 грн.
1000 або більше: 41.82 грн.
100 або більше: 44.15 грн.
1000 або більше: 41.82 грн.
MOSFET DIS.25A 30V N-CH PPAK SO-8 TRENCHFET
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 25 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 3.2 мОм |
Потужність | 31 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 27 нс |
Напруга | 30 В |