SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

52.14 грн.

10 або більше: 48.19 грн.
100 або більше: 46.72 грн.
1000 або більше: 44.26 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SIRA12DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.25A 30V N-CH PPAK SO-8 TRENCHFET
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 25 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 3.2 мОм
Потужність 31 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 27 нс
Напруга 30 В
datasheet