SIS456DN-T1-GE3

57.47 грн.

10 или более 56.32 грн.
100 или более 54.60 грн.
1000 или более 51.72 грн.
Производитель: Vishay Siliconix
Артикул: SIS456DN-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.35A 30V N-CH PPAK1212-8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 20 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 52 Вт
Сопротивление откр. канала 4.2 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В