SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

52.63 грн.

10 або більше: 51.57 грн.
100 або більше: 50.00 грн.
1000 або більше: 47.37 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SIS456DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.35A 30V N-CH PPAK1212-8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 4.2 мОм
Потужність 52 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 20 нс
Напруга 30 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969