SISH402DN-T1-GE3

48.30 грн.

10 или более 44.65 грн.
100 или более 43.29 грн.
1000 или более 41.01 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SISH402DN-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.19A 30V N-CH PPAK1212-8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 25 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 52 Вт
Сопротивление откр. канала 4.8 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969