SISH402DN-T1-GE3

52.74 грн.

10 або більше: 48.76 грн.
100 або більше: 47.27 грн.
1000 або більше: 44.78 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SISH402DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.19A 30V N-CH PPAK1212-8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 4.8 мОм
Потужність 52 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 25 нс
Напруга 30 В