SISH402DN-T1-GE3
SISH402DN-T1-GE3
52.74 грн.
10 або більше: 48.76 грн.
100 або більше: 47.27 грн.
1000 або більше: 44.78 грн.
100 або більше: 47.27 грн.
1000 або більше: 44.78 грн.
MOSFET DIS.19A 30V N-CH PPAK1212-8 TRENCHFET SMT
Корпус | |
Корпус | PowerPAK-1212-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 35 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 4.8 мОм |
Потужність | 52 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 25 нс |
Напруга | 30 В |