SQ4850EY-T1_GE3
SQ4850EY-T1_GE3
82.45 грн.
10 или более 80.80 грн.
100 или более 78.33 грн.
1000 или более 74.20 грн.
100 или более 78.33 грн.
1000 или более 74.20 грн.
MOSFET DIS. 12A 60V N-CHANNEL 8-SOIC
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+175°C |
Ток | |
Ток | 12 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 6.8 Вт |
Сопротивление откр. канала | 17 мОм |
Структура | N-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 60 В |