SQ4850EY-T1_GE3
SQ4850EY-T1_GE3
82.45 грн.
10 або більше: 80.80 грн.
100 або більше: 78.33 грн.
1000 або більше: 74.20 грн.
100 або більше: 78.33 грн.
1000 або більше: 74.20 грн.
MOSFET DIS. 12A 60V N-CHANNEL 8-SOIC
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+175°C |
Струм | |
Струм | 12 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 17 мОм |
Потужність | 6.8 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Напруга | 60 В |