SQJ418EP-T1_GE3

41.23 грн.

10 или более 40.40 грн.
100 или более 39.16 грн.
1000 или более 37.10 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SQJ418EP-T1_GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.48A 100V N-CH SO8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK SO-8L
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+175°C
Ток
Ток 48 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Конфигурация одиночний
Мощность 68 Вт
Сопротивление откр. канала 11 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 100 В