SQJ418EP-T1_GE3

38.96 грн.

10 або більше: 38.18 грн.
100 або більше: 37.01 грн.
1000 або більше: 35.06 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SQJ418EP-T1_GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.48A 100V N-CH SO8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK SO-8L
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 48 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 11 мОм
Потужність 68 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Напруга 100 В