SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

95.00 грн.

10 або більше: 62.16 грн.
100 або більше: 60.25 грн.
1000 або більше: 57.08 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7113DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.13.2A 100V P-CH TO-1212-8 POWER PAK SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -50°C~+150°C
Струм
Струм 13.2 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 108 мОм
Потужність 52 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 46 нс
Напруга 100 В
datasheet