SI7145DP-T1-GE3
SI7145DP-T1-GE3
121.80 грн.
10 або більше: 149.45 грн.
100 або більше: 144.88 грн.
1000 або більше: 137.25 грн.
100 або більше: 144.88 грн.
1000 або більше: 137.25 грн.
MOSFET DIS.60A 30V P-CH PPAK SO-8
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -50°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 60 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 2.1 мОм |
Потужність | 104 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 42 нс |
Напруга | 30 В |