SIS407DN-T1-GE3

50.37 грн.

10 або більше: 39.79 грн.
100 або більше: 38.57 грн.
1000 або більше: 36.54 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIS407DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.25A 20V P-CH PPAK1212-8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -50°C~+150°C
Струм
Струм 25 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 8.2 мОм
Потужність 33 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 56 нс
Напруга 20 В