SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

273.19 грн.

10 або більше: 267.73 грн.
100 або більше: 259.53 грн.
1000 або більше: 245.87 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SQM110N05-06L_GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.110A 55V N-CH TO263(D2PAK) SMT VISHAY
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 110 А
Упаковка
Упаковка 800 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 4.7 мОм
Потужність 157 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Напруга 55 В
datasheet