Транзистори Дарлінгтона

Складові біполярні транзистори, об'єднані за схемою Дарлінгтона, знаходять дуже часте практичне застосування в самих різних за призначенням радіотехнічних схемах/пристроях (причому і в вигляді дискретних компонентів, і як мікросхем/зборок, що поєднують в одному своєму корпусі відразу кілька роздільних пар) з кількох причин :

• гарантований значний коефіцієнт підсилення по струму - в транзисторної парі Дарлінгтона загальний коефіцієнт приблизно відповідає добутку коефіцієнтів посилення від кожного зі складових пару транзисторів, що в підсумку для потужних пар дає мінімальне можливе значення не нижче п'ятисот-восьмисот, а для малопотужних пар може доходити і до величини близько п'ятдесяти тисяч;
• висока вихідна потужність - що забезпечує застосування  транзисторів Дарлінгтона в різних сільноточних схемах (виходи УМ, лінійні стабілізатори, ключі управління для потужного навантаження різного типу);
• високий вхідний імпеданс - визначає можливість використання таких транзисторів в якості вхідних активних елементів в різноманітних підсилюючих схемах;

З основних недоліків включення транзисторів по схемі Дарлінгтона слід згадати зниженушвидкодіючу/граничну частоту в порівнянні з параметрами розділених транзисторів з тієї ж пари, а також типово вдвічі більше сумарне падіння напруги (зазвичай близько 1.2-1.4 вольта для поширених кремнієвих транзисторів).