1
1
1
9
1
1
1
11
4
1
3
1
5
1
3
1
1
6
1
3
1
1
1
1
6
1
1
1
4
1
1
1
9
3
1
1
1
2
1
2
2
1
1
1
1
6
1
9
5
3
1
1
1
2
4
1
1
1

в кошик

Корзина покупок
 

Біполярні транзистори

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
BC807-40
Кремнієвий транзистор BC807-40 виробництва NXP Semiconductors відноситься до малопотужних (Pmax..
0.89 грн.
Наявність: 6186
MMBT2222A
Біполярний (BJT) транзистор NPN 40В 600мА 300МГц 350мВт для поверхневого монтажу в корпусі SOT-23 ..
0.46 грн.
Наявність: 6000
BC817-40
Малопотужний високочастотний NPN-транзистор BC817-40 виготовляється компанією Nexperia USA Inc. за т..
0.66 грн.
Наявність: 3195
BC846B
Біполярний транзистор NPN, 65 В, 0,1 А, в корпусі SOT-23 ..
0.54 грн.
Наявність: 2990
BC847C
Біполярний транзистор NPN, 45 В, 0,1 А, в корпусі SOT-23 ..
0.54 грн.
Наявність: 1659
BC856B
Біполярний транзистор PNP, 65 В, 0,1 А, в корпусі SOT-23 ..
0.54 грн.
Наявність: 1000
BC546B
Біполярний транзистор NPN, 65 В, 0,1 А, в корпусі TO-92 ..
0.54 грн.
Наявність: 500
BC857C
Біполярний транзистор PNP, 45 В, 0,1 А, в корпусі SOT-23 ..
0.54 грн.
Наявність: 100
2Т301Ж
Транзисторы 2Т301Ж кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.  Предназначены для прим..
10.18 грн.
Наявність: 100
BCP53
Біполярний високочастотний PNP транзистор 80В; 1А; SOT-223 ..
3.06 грн.
Наявність: 90
BC817-25W
Біполярний транзистор NPN, 45 В, 0,5 А, в корпусі SOT323 ..
0.89 грн.
Наявність: 38
PMBT2222A
Біполярний малопотужний NPN транзистор PMBT2222A виготовляється на виробничих потужностях Nexperia™ ..
0.46 грн.
Наявність: 27
2N3904
Біполярний NPN-транзистор 2N3904 класифікується як транзистор загального призначення в корпусі TO-22..
0.92 грн.
Наявність: 25
ST13005
Високовольтний біполярний силовий NPN транзистор ST13005 виробництва STMicroelectronics призначений ..
8.14 грн.
Наявність: 5
DDTC124ECA
NPN біполярний транзистор з попередньо заданим струмом зміщення (Pre-Biased) з вбудованими навантажу..
5.60 грн.
Наявність: 1

Біполярний транзистор - це трьохвивідний пристрій, що служить в електронних схемах для генерації і посилення сигналу, або в якості ключа. Розрізняють два типи: npn- і pnp-транзистори, в залежності від чергування шарів допіювання напівпровідникового матеріалу. Середній електрод прийнято називати базою, крайні - емітером і колектором. Незважаючи на гадану симетричність щодо бази, реальний транзистор таким не є, що легко встановити при перевірці тестером: опір переходу база-колектор завжди трохи менше, ніж база-емітер (це один з найшвидших способів визначення типу структури і цокольовка невідомого справного транзистора).

Для детального розрахунку схем на біполярних транзисторах зазвичай використовується багато параметрів, але з практичної точки зору (для можливої ​​заміни) зазвичай досить знати лише кілька: тип, максимальний робочий напруга переходу емітер-колектор, номінальне посилення по току (коефіцієнт передачі струму), граничну частоту одиничного посилення і максимальну рассеиваемую потужність. Повний же список всіх необхідних для проектування параметрів (включаючи графіки різних залежностей) завжди наводиться в оригінальній документації від виробника, яку і рекомендується пильно вивчати до того, як братися за розробку схеми.

Ливен | Designed for Liv Energy