РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
Категории
IRLML2803TRPBF
Доступно: 29904
21.66 грн.
30-вольтовый N-канальный HEXFET Power MOSFET в корпусе Micro 3
Основные применения:
Выключа..
IRLML6402TRPBF
Доступно: 12822
23.19 грн.
P-канальный, полевой транзистор; -20В; -2,2А; 1,3Вт; SOT23
..
IRLML2402TRPBF
Доступно: 6200
13.80 грн.
N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором IRLML2402 принадлежит к пятому поколению тех..
IRLML5203TRPBF
Доступно: 6168
31.52 грн.
-30В Одноканальный (P-канал) HEXFET Power MOSFET в корпусе Micro 3
..
IRFR9024NTRPBF
Доступно: 3878
50.46 грн.
Полевой P-канальный транзистор (MOSFET) в корпусе D-Pak на 55В/11А
..
IRLML6244TRPBF
Доступно: 2997
23.85 грн.
N-канальный полевой транзистор, напряжение истока-стока -20 Вольт, непрерывный ..
IRF7105TRPBF
Доступно: 2412
20.57 грн.
Двухтранзисторная сборка от International Rectifier содержит в себе пару электрически не связан..
IRF5305PBF
Доступно: 2024
91.41 грн.
МОП-транзистор серии HEXFET пятого поколения от International Rectifier, выполненый с использованием..
IRF4905PBF
Доступно: 1396
173.63 грн.
МОП-транзистор HEXFET с одним P-каналом -55V в корпусе TO-220AB
..
IRF2805PBF
Доступно: 958
156.11 грн.
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25..
IRLML6401TRPBF
Доступно: 260
22.74 грн.
P-канальный полевой транзистор, напряжение истока-стока -12 Вольта, непрерывный..
IRF7313PBF
Доступно: 95
21.67 грн.
Двух N-канальный полевой транзистор IRF7313PBF на 30В, 6.5А в корпусе SO-8
..
IRFD110PBF
Доступно: 65
40.95 грн.
IRFD110 относится к третьему поколению Полевых транзисторов от Vishay, которое отличается харак..
IRLML2502TRPBF
Доступно: 5
36.04 грн.
20-вольтовый одноканальный HEXFET Power MOSFET в корпусе Micro 3
..
Полевой транзистор - это трёхвыводное (исток-сток-затвор) твёрдотельное полупроводниковое устройство, в котором поток носителей заряда управляется внешним напряжением, прилагаемым к затвору. Наиболее распространены два типа ПТ, определяемых устройством затвора: с pn-переходом и с изолированным затвором (МДП- или МОП-транзисторы - от "Металл-Диэлектрик-Проводник"/"Металл-Окисел-Проводник", англ.MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor + Field-Effect-Transistors).
В свою очередь, МОП-транзисторы подразделяются по типу канала (n- или p- - это зависит от того, какие основные носители определяют проводимость канала) и технологии изготовления канала (с обеднением или обогащением). Четыре возможные комбинации этих свойств определяют наличие/отсутствие тока исток-сток при напряжении затвора равном нулю, а также необходимую полярность и величину запирающего/порогового напряжения.
Из выходных характеристик МОП-транзистора необходимо знать как минимум следующие: максимально возможное рабочее напряжение сток-исток (превышение этой величины разрушает ПТ), максимальное напряжение на затворе (его превышение приводит к необратимому пробою и разрушению затвора, что также выводит ПТ из строя), рабочее сопротивление канала и крутизну выходной характеристики. Данные эти обязательно приводятся в сопроводительной техдокументации от производителя, там же в виде графиков указывается допустимый разброс параметров изделий одного типа и граничные области/режимы эксплуатации (включая изменение параметров при нагреве - что особо важно для сильноточных устройств).
Главное: никогда не пренебрегайте просмотром оригинальной документации от производителя!